特許
J-GLOBAL ID：200903076308597395
多結晶シリコン薄膜用基板および多結晶シリコン薄膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017675
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218367
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 ランプを用いた高熱のアニールを用いて、多結晶シリコン薄膜を形成しても、ダメージを殆んど受けることのない多結晶シリコン薄膜用基板を提供する。【構成】 歪点温度が700°C以下の低価格のガラス基板101上にSiO2緩衝層102を10μm以上堆積させ、さらに非晶質シリコン膜103を1000Å堆積させる。その後、ランプの光を用いて、非晶質シリコン膜103を急加熱、急冷却して、多結晶シリコン薄膜104を作製する。このとき、非晶質シリコン膜103の温度が1000°C近くの温度まで上昇しても、緩衝層102により、ガラス基板101の温度はその耐熱温度700°C以下になり、ガラス基板101の歪みが抑制され、良質な多結晶シリコン薄膜104を得ることができる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板とそのガラス基板上に形成された緩衝層とからなり、上記緩衝層の上に非単結晶シリコンが堆積されて、非単結晶シリコン膜が形成され、この非単結晶シリコン膜に光が照射されて、上記非単結晶シリコン膜が急加熱され、急冷却されて、多結晶シリコン薄膜が作製される多結晶シリコン薄膜用基板において、上記緩衝層の厚さがを10μm以上有することを特徴とする多結晶シリコン薄膜用基板。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/205
, H01L 21/26
