半導体リレー回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051287
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】コストアップを招くことのない高周波信号の制御に適した低出力容量型の半導体リレー回路を提供することを課題とする。【解決手段】放電回路を構成する第1のpnp型バイポーラ接合トランジスタ23A、第2のpnp型バイポーラ接合トランジスタ23B、第1のダイオード19A及び第2ダイオード21Aが、同時に、第1の出力用電界効果トランジスタ5A及び第2の出力用電界効果トランジスタ5Bそれぞれのゲートに逆並列のダイオードが接続される構成を実現することにより、第1の出力用電界効果トランジスタ5A及び第2の出力用電界効果トランジスタ5Bの出力容量を小さくする。

請求項（抜粋）：

入力信号により光信号を発生する発光ダイオードと、前記光信号を受光して光起電力を発生するフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイのアノードにゲートが接続され、カソードにソースが接続された第1の出力用電界効果トランジスタと、前記フォトダイオードアレイのアノードにゲートが接続され、カソードにソースが接続された第2の出力用電界効果トランジスタと、前記第1の出力用電界効果トランジスタのゲートにエミッタが接続され、ソースにコレクタが接続された第1のpnp型バイポーラ接合トランジスタと、前記第2の出力用電界効果トランジスタのゲートにエミッタが接続され、ソースにコレクタが接続された第2のpnp型バイポーラ接合トランジスタと、前記第1のpnp型バイポーラ接合トランジスタ及び前記第2のpnp型バイポーラ接合トランジスタのベースと前記第1のpnp型バイポーラ接合トランジスタ及び前記第2のpnp型バイポーラ接合トランジスタのコレクタとの間に接続された抵抗性インピーダンス要素と、前記第1のpnp型バイポーラ接合トランジスタのベースにアノードが接続され、エミッタにカソードが接続された第1のダイオードと、前記第2のpnp型バイポーラ接合トランジスタのベースにアノードが接続され、エミッタにカソードが接続された第2のダイオードとを有することを特徴とする半導体リレー回路。

引用特許：

出願人引用 (2件)

フォトカプラ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-059985 出願人：株式会社東芝
特開昭64-041319

審査官引用 (2件)

フォトカプラ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-059985 出願人：株式会社東芝
特開昭64-041319

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