特許

J-GLOBAL ID：200903076317089149

露光方法

発明者： 岡本 洋基 ,  立野 博貴
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235689
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082597
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 投影露光装置におけるマスクと感光基板との位置合わせ精度及び、マスクパターン像と基板上のショット領域との重ね合わせ精度を向上させる。【解決手段】 マスク上に形成された少なくとも3個の位置検出用マークのステージ上での位置を各々計測し、これに基づいて、先に計測されたマスクの位置に対するオフセットデータを統計演算によって算出する。次に、このオフセットデータに基づいて、マスクの位置を補正するとともに、当該オフセットデータを一旦記憶しておく。そして、補正されたマスクの位置に基づいて、マスクと感光基板との位置合わせを行う。その後、ロットの途中で、マスクの位置とベースラインとを新たに計測した時に、記憶しておいたオフセットデータに基づいて、当該新たに計測されたマスクの位置を補正して、マスクと記感光基板との位置合わせを行う。

請求項（抜粋）：

マスクのパターンを投影光学系を介して、ステージにセットされた感光基板上に投影する露光方法において、前記マスクの位置を計測する第1の工程と;前記感光基板の位置検出装置の検出中心位置と前記マスクの中心の前記感光基板上の投影点との相対距離であるベースラインを検出する第2の工程と;前記パターンが露光される先行する前記感光基板の露光に先立って、前記マスク上に形成された少なくとも3個の位置検出用マークの前記投影光学系を介した像の前記感光基板側での位置を各々計測する第3の工程と;前記第3の工程で検出された前記位置検出用マークの検出位置に基づいて、前記第1の工程で計測された前記マスクの位置に対するオフセットデータを統計演算によって算出する第4の工程と;前記第4の工程で算出されたオフセットデータに基づいて、前記投影光学系の結像状態の調整、前記マスクと前記感光基板との位置合わせを行った後、前記マスクのパターンを前記感光基板上に露光するとともに、当該オフセットデータを記憶する第5の工程と;前記先行する感光基板の露光の後に、前記マスクの位置と前記ベースラインとを新たに計測した際に、前記第5の工程で記憶されたオフセットデータに基づいて、前記投影光学系の結像状態の調整、前記マスクと前記感光基板との位置合わせを行った後、前記マスクのパターンを前記感光基板上に露光する第6の工程とを含むことを特徴とする投影露光装置の露光方法。