固体撮像装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中澤昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019211
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223686
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】製造工程の追加なく、エッチングにより半導体基板が削られず、かつ多結晶Si残りを生じず、受光部に拡散層を形成できる固体撮像装置製造法を提供する。【解決手段】半導体基板上に設けられた受光部とその蓄積電荷を読出し、酸化膜を介して複数層の多結晶Si膜から成る垂直転送部とを有する固体撮像装置である。半導体基板10上に第1(2層目)のポリSi膜32を形成し、受光部上にSi酸化膜25を形成すると共に、第1の多結晶Si膜上に酸化膜を形成する。次に第1多結晶Si膜上の酸化膜上に第2(3層目)の多結晶Si膜33を形成後、受光部を開口したレジストを用い第2の多結晶Si膜を異方性エッチングし、電極DV3を形成する。レジストを残したまま受光部のP型ウエル層11にイオン注入し拡散層14を形成する。異方性エッチングで生じた多結晶Si残りTの除去のため受光部と、垂直転送部の電極形成のため第2Si膜を同時エッチする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に、入射光を光電変換する受光部と、その受光部で蓄積された電荷を読み出し、絶縁用の酸化膜を介して複数層の多結晶シリコン膜で構成された垂直転送部とを有する固体撮像装置の製造方法において、半導体基板上に第1の多結晶シリコン膜を形成する工程と、受光部上に酸化膜を形成するとともに、第1の多結晶シリコン膜上に酸化膜を形成する工程と、前記第1の多結晶シリコン膜上の酸化膜上に第2の多結晶シリコン膜を形成する工程と、受光部を開口したレジストを用いて前記第2の多結晶シリコン膜を異方性エッチングする工程と、前記レジストを残したまま、イオン注入を行い、受光部の拡散層を形成する工程と、前記異方性エッチングによって発生した多結晶シリコン残りを除去するために前記受光部と、垂直転送部の電極を形成するために第2の多結晶シリコン膜とを同時に等方性エッチングする工程と、を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H04N 5/335 F

Fターム (18件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118CA04 , 4M118CB13 , 4M118DA18 , 4M118DA28 , 4M118DB01 , 4M118EA07 , 4M118EA08 , 4M118EA16 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118GB11 , 5C024AA00 , 5C024CA31 , 5C024FA01 , 5C024GA23

前のページに戻る