特許

J-GLOBAL ID：200903076319226577

無電解Ni-P-Moの連続めっき方法

発明者： 高見 秀幸 ,  中山 郁雄 ,  佐藤 誠 ,  斉藤 昌弘
出願人/特許権者： 上村工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093890
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263260
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【構成】 水溶性ニッケル塩と、水溶性モリブデン酸塩と、次亜リン酸又はその塩と、錯化剤とを含む無電解Ni-P-Moめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物にNi-P-Mo皮膜を形成する無電解Ni-P-Moめっき方法において、めっきの進行により生じる上記めっき浴中のニッケルイオン、モリブデン酸イオン、次亜リン酸イオンの減少及びpHの低下に応じ連続的又は間欠的にニッケルイオン、モリブデン酸イオン、次亜リン酸イオンをめっき浴に補給してこれらイオンの濃度を所定管理範囲に調整し、かつpH調整剤を添加してめっき浴のpHを所定管理範囲に調整すると共に、この際めっき進行の経過に応じめっき浴中の次亜リン酸イオンの濃度管理範囲を漸増させることを特徴とする無電解Ni-P-Moの連続めっき方法を提供する。【効果】 本発明によれば、長時間連続使用した後のめっき浴から得られたNi-P-Mo皮膜は、新浴時のものと比べてその皮膜特性を同一レベルに維持することができるものである。

請求項（抜粋）：

水溶性ニッケル塩と、水溶性モリブデン酸塩と、次亜リン酸又はその塩と、錯化剤とを含む無電解Ni-P-Moめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物にNi-P-Mo皮膜を形成する無電解Ni-P-Moめっき方法において、めっきの進行により生じる上記めっき浴中のニッケルイオン、モリブデン酸イオン、次亜リン酸イオンの減少及びpHの低下に応じ連続的又は間欠的にニッケルイオン、モリブデン酸イオン、次亜リン酸イオンをめっき浴に補給してこれらイオンの濃度を所定管理範囲に調整し、かつpH調整剤を添加してめっき浴のpHを所定管理範囲に調整すると共に、この際めっき進行の経過に応じめっき浴中の次亜リン酸イオンの濃度管理範囲を漸増させることを特徴とする無電解Ni-P-Moの連続めっき方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-131383
  
• 特開平3-143592