特許
J-GLOBAL ID：200903076320293776
固体撮像素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107239
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 Al遮光膜をウェットエッチングにて形成する場合のSi残渣による感度ムラを防止し、ドライエッチングにて形成する場合の保護膜の膜減りによる白点の発生を低減する固体撮像素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板上にPoly-Si電極9を形成した後、酸化膜10を介してPSG保護膜12を堆積させる。その後、Siを添加したAlをスパッタリング等により蒸着し、レジスト膜13をパターニング形成する。次に、Al開口部形成のための1次エッチングをドライエッチングにてAl遮光膜8の膜厚の90%程度まで行う。これにより、Si残渣の低減を図り感度ムラを防止する。更に、2次エッチングをウェットエッチングにて行い残りの10%を除去する。これにより、PSG保護膜の膜減りを原因とする白点の発生が抑えられる。
請求項（抜粋）：
PSG保護膜を形成する工程と、前記PSG保護膜上にSiを添加したAlを蒸着後、Al開口部および配線部をエッチング処理してAl遮光膜を形成する工程とを、少なくとも有する固体撮像素子の製造方法において、前記Al遮光膜の形成工程におけるAl開口部および配線部のエッチング処理に際し、前記Al遮光膜の膜厚の所定量をドライエッチングにて行うことにより、前記Al遮光膜のSi残渣を抑える1次工程と、前記Al遮光膜の残りの所定量をウェットエッチングにて行うことにより、前記Al遮光膜直下に形成されたPSG保護膜の膜減りを抑える2次工程とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 D
, H01L 27/14 B
