特許

J-GLOBAL ID：200903076321101650

シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ

発明者： 黛 雅典
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099369
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266214
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 持続性に優れたゲッタリング能力とオートドープ防止効果を持っていて、しかも、シリコンウェーハに働くストレスが小さく、そのため反りが小さいシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 一主面にプラズマ化学気相成長膜を有するシリコンウェーハの製造方法において、シリコンウェーハの一主面に、該プラズマ化学気相成長膜と該シリコンウェーハとの間のストレスが1×108 〜1×109 dyne/cm2になるようにプラズマ化学気相成長膜を形成することを特徴とする、シリコンウェーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

一主面にプラズマ化学気相成長膜を有するシリコンウェーハの製造方法において、シリコンウェーハの一主面に、該プラズマ化学気相成長膜と該シリコンウェーハとの間のストレスが1×108 〜1×109 dyne/cm2 になるようにプラズマ化学気相成長膜を形成することを特徴とする、シリコンウェーハの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (8件)：

H01L 21/322 Q ,  H01L 21/322 N ,  C30B 29/06 B ,  C30B 29/06 Z ,  C30B 29/38 Z ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコン基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-156904   出願人：住友金属工業株式会社