特許
J-GLOBAL ID：200903076328920893
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038846
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252078
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】素子の性能に支障を来すことなく、十分に浅い接合深さを得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】不純物イオンが注入された半導体基板1に、活性化すべき不純物イオンへの吸収係数が高い波長のX線を照射し、且つ、シリコンへの吸収係数が高い波長のX線を照射した後、前記半導体基板1にアニールを行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物イオンを注入する第1工程と、前記不純物イオンが注入された半導体基板に、活性化すべき不純物イオンへの吸収係数が高い波長のX線を照射する第2工程と、前記半導体基板に、シリコンへの吸収係数が高い波長のX線を照射する第3工程と、前記X線照射後、前記半導体基板にアニールを行う第4工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
