特許

J-GLOBAL ID：200903076328969833

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山口 直明
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102116
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321869
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 OFF電流の小さい薄膜トランジスタを得る。【解決手段】 105に示すようにゲイト電極となるアルミニウムを主成分とする膜を島状に形成し、その側面にポーラス状の酸化物層107を陽極酸化工程で形成する。そして不純物イオンの注入を行うことにより、ソース領域110とドレイン領域111とを形成する。さらに先の酸化物層107を取り除き、再び不純物イオンの注入を行うことによって、ライトドープ領域を形成する。こうして、ソース/ドレイン領域とチャネル形成領域との間にライトドープ領域を有した構成を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された薄膜トランジスタを含む半導体装置において、ゲイト電極と、前記ゲイト電極の下に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト電極の下に、前記ゲイト絶縁膜を介して存在するチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接したライトドープ領域と、前記ライトドープ領域の外側に設けられたソース領域またはドレイン領域とを有し、前記ゲイト電極の上面のみに前記ゲイト電極を酸化して得られた酸化物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 617 J