特許

J-GLOBAL ID：200903076331180523

薄膜トランジスタ

発明者： 上田 徹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232466
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084944
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 多結晶シリコンの膜質を向上させ、オフ電流が小さく、かつオン電流が大きい良好な特性を有し、しかもその特性が均一性に優れたものとする。【構成】 非晶質シリコン層2を熱処理して結晶化させると、これによって結晶粒径が拡大した多結晶シリコン層3′が得られる。更に酸化性雰囲気中で熱処理すると、多結晶シリコン層3′の中に残存する欠陥が低減される。これにより、膜質に優れた多結晶シリコンからなる半導体層3が形成されてオン電流が増大する。また、半導体層3に注入する不純物としてほう素を用いると、ほう素が軽いために、深さ方向になだらかな分布を有する状態でイオン注入される。これにより低濃度不純物領域9a、9bの濃度が均一となり、特性が均一性をもつようになる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に、一部を除いて不純物を注入してなるLDD構造の半導体層が形成された薄膜トランジスタにおいて、該半導体層が、非晶質シリコンに第1の熱処理を行って非晶質シリコンを結晶化させた後、酸化性雰囲気中で第1の熱処理温度より高い温度で第2の熱処理を行って形成された多結晶シリコンからなり、かつ、不純物にほう素を使用して形成されている薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 311 S