特許

J-GLOBAL ID：200903076332998325

半導体装置の製造方法

発明者： 島田 勝人
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187567
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031407
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【目的】キャパシタにかける電界の極性を繰り返し反転させたとき、従来なら発生する電極界面のPZT膜の伝導型の反転を防ぐことにより、PZT膜中及びPZTと上下電極界面での空間電荷の発生を抑え、スイッチング電荷量の減少を防ぐとともに、リーク電流の増加を抑える。【構成】 PZT膜のZrとTiに対するPb組成比をPZT膜の中央部のPb(Zr0.5Ti0.5)O3膜103と上下白金電極101、105近傍のPb1.2(Zr0.5Ti0.5)O3膜102、104で変化させる。【効果】大容量半導体記憶装置に使用される誘電体薄膜キャパシタ、又は、不揮発性半導体記憶装置に用いられる強誘電体キャパシタの構造に使用でき、信頼性の良い誘電体素子を提供できる。

請求項（抜粋）：

一般式ABO3で表わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体が、2つの電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子に於て、B格子の元素の組成比に対するA格子の元素の組成比が、前記2つの電極の少なくとも一方の電極近くで、前記誘電体中央部と異なることを特徴とする誘電体素子。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-171976
  
• 特開昭64-050238
  
• 特開平2-244622