特許

J-GLOBAL ID：200903076333023700

半導体装置

発明者： 鈴木 俊秀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 熊谷 雄太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159269
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005677
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置のスクリーニングをウェハレベルにて実施可能なウェハを提供する。【構成】 半導体ウェハ10内に受動デバイス領域12を設け、この受動デバイス領域12内に抵抗17、コンデンサ19、ヒューズ18及び電源供給専用パッド13を設け、半導体ウェハ10内の個々の半導体チップ11と抵抗17、コンデンサ19、ヒューズ18を電気的に接続したことを特徴とする。これにより、ウェハ段階にてバーンイン試験が可能となる。

請求項（抜粋）：

酸化、拡散、メタライズ等の工程を経て形成された、抵抗、コンデンサ、トランジスタ及び配線層で構成される半導体チップを有する半導体ウェハにおいて、半導体チップ領域と区分した領域を有し、この領域に抵抗、コンデンサ、ヒューズ等の受動デバイスを備え、かつ前記受動デバイスに電気的に接続する配線及び電源供給専用パッドを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/326

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-219942
  
• 特開昭62-221126