特許
J-GLOBAL ID：200903076334083545
半導体装置用リードフレームの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-119526
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334087
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】Ag/Ni界面の密着性の向上を図り、リードフレームを酸素雰囲気中で加熱しても、めっき剥がれ現象が生じないようにする。【構成】下地層である金属基体のNiめっき上に、中間層としてCuめっきを設けた後、その上に外層としてAgめっきを設けてリードフレームを製造する。製造後、直ちにリードフレームを非酸化性雰囲気中で400°Cを超える温度で熱処理する。これにより中間層のCuがAg、Ni中へ適宜拡散する。Ag中へ拡散したCuは、より表面近傍で酸素をトラップして、下地層のNiめっきへの酸素の到達を有効に阻止してNiめっき面の酸化を防ぐ。
請求項（抜粋）：
金属基体のNiめっき又はNi系合金めっき上に、中間層としてCuめっきを設けた後、その上にAgめっきを施すようにした半導体装置用リードフレームの製造方法において、Agめっき後、さらにリードフレームを非酸化性雰囲気中で400°C以上の温度で熱処理したことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, C25D 5/12
, C25D 7/12
