特許
J-GLOBAL ID:200903076340804807

薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-082367
公開番号(公開出願番号):特開2000-276708
出願日: 1999年03月25日
公開日(公表日): 2000年10月06日
要約:
【要約】【課題】 トラック幅を規制する上層ポールのトラック幅を高精度に細く形成する。【解決手段】 第6の非磁性層16上に鍍金下地膜20を成膜し、フレーム鍍金法によって上層ポール14aを形成する。次に、上層ポール14aの一方の側面側に、第1のレジスト膜22を形成し、エッチング処理を施す。次に、第1のレジスト膜22を除去し、他方の側面側に第2のレジスト膜23を形成して、同様にエッチング処理を施す。
請求項(抜粋):
基板上に少なくとも下層コア層、非磁性層、トラック幅を規制する上層ポールを有する上層コア層を順次積層し、上記下層コア層と上層ポール間に磁気ギャップを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、基板上に下層コア層及び非磁性層を成膜形成し、この上に所望のトラック幅よりも幅広の形状を有する上層ポールを形成する上層ポール形成工程と、上記上層ポールのトラック幅方向の一方の側面を覆って第1のマスク材を形成し、当該マスク材から露出する他方の側面をエッチングする第1のエッチング工程と、上記第1のエッチング工程によりエッチングされた側面を覆って第2のマスク材を形成し、これとは反対側の側面をエッチングする第2のエッチング工程とを有し、上記上層ポールを所望のトラック幅とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
FI (2件):
G11B 5/31 D ,  G11B 5/31 C
Fターム (4件):
5D033BA08 ,  5D033BA13 ,  5D033BB43 ,  5D033DA08

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