特許
J-GLOBAL ID：200903076343172976
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117136
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315700
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザからの出射光をフォトディテクタ基板法線方向に出射するとともに、半導体レーザとフォトディテクタを同一平面上に配置することにより組立精度を向上することを目的とする。【構成】 <110>方向を軸とし、1〜11°のオフアングルを有する(511)面シリコン基板10に(111)面の斜面を有するV状の溝11を形成し、45°に近い方の斜面を反射ミラー面12とし、この面に対向する斜面側のシリコン基板10の主面33を他方の主面32に対して低くし、さらに反射ミラー面12に対向する面の溝上端稜線に対して半導体レーザチップ13の前端面がほぼ平行になるように配置した構成による。
請求項（抜粋）：
<110>方向を軸として1〜11°のオフアングルを有する(511)面のシリコン基板と、そのシリコン基板上の所定部に形成された両側の斜面が(111)面で断面形状がV状の溝と、その溝を形成する斜面のうち前記シリコン基板の表面に対する傾きが45°に近い反射ミラー面に対向する斜面側の前記シリコン基板の主面を他方の主面に対して低くし、その低くした主面上に前記反射ミラー面に対向する斜面の溝上端稜線に対して前端面がほぼ平行になるように固定された半導体レーザチップとを少なくとも有することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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