薄膜コンデンサおよびコンデンサ内蔵基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138927
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335178
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】高速デジタル回路に対応可能な、大容量で、かつ低インダクタンスの薄膜コンデンサおよび積層型薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】誘電体薄膜10の両面に電極膜2、5を形成してなる薄膜コンデンサであって、誘電体薄膜10が複数の分割高誘電率体3を離間して配置し、かつ複数の分割高誘電率体3の間にアモルファスSiO2 からなる低誘電率体4を配置してなるもので、誘電体薄膜10の両面に形成された電極膜2、5には、同一側にそれぞれ容量取出部6、7が形成されており、電極膜2、5を流れる電流がそれぞれ逆方向とされていることが望ましい。また、上記の薄膜コンデンサが基板内に内蔵される場合もある。

請求項（抜粋）：

誘電体薄膜の両面にそれぞれ電極膜を形成してなる薄膜コンデンサであって、前記誘電体薄膜が複数の分割高誘電率体を離間して配置し、かつ前記複数の分割高誘電率体の間にアモルファスSiO2 からなる低誘電率体を配置して構成されることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (4件)：

H01G 4/33 , H01G 4/30 301 , H05K 1/16 , H05K 3/46

FI (4件)：

H01G 4/06 102 , H01G 4/30 301 E , H05K 1/16 D , H05K 3/46 Q

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