特許

J-GLOBAL ID：200903076360767002

磁気アルキメデス効果を利用する結晶成長方法

発明者： 青柿 良一 ,  北沢 宏一 ,  廣田 憲之 ,  中川 準 ,  池添 泰弘
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144888
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335200
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】 重力の影響を軽減して形状制御可能な結晶成長方法を提供する。【解決手段】 酸素圧下の容器(1)内で、結晶成長界面(9)付近に磁場勾配を印加し結晶成長させる。

請求項（抜粋）：

酸素圧下の容器内で、結晶成長界面もしくはその付近に磁場勾配を印加し融体に浮上力を与えて結晶成長させることを特徴とする磁気アルキメデス効果を利用する結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 30/04 ,  C30B 13/30 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/58

FI (4件)：

C30B 30/04 ,  C30B 13/30 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/58