半導体製造装置の縦型炉

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120286
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303135
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】半導体製造装置の縦型炉に設けられるボートカバーの取付け調整を容易にし、スループットの向上を図る。【解決手段】ヒータ6、アウタチューブ1、インナチューブ3が同心多重に配設され、前記インナチューブの内部にウェーハがボートを介して装入される半導体製造装置の縦型炉に於いて、前記ボートが半円筒状のカバーを有するカバーボート8であり、該カバーボートと対向して半円筒状のボートカバー11が配設され、前記カバーボートと共に円筒状のカバーを前記インナチューブの内側に同心に形成し、前記ボートカバーの上端及び下端を溶接により前記インナチューブに固着した構成を有し、ボートカバーはインナチューブに対して固定的に設けられているので、個別に位置調整が必要でなく、動作中の経時的な位置ずれが生じることがない。

請求項（抜粋）：

ヒータ、アウタチューブ、インナチューブが同心多重に配設され、前記インナチューブの内部にウェーハがボートを介して装入される半導体製造装置の縦型炉に於いて、前記ボートが半円筒状のカバーを有するカバーボートであり、該カバーボートと対向して半円筒状のボートカバーが配設され、前記カバーボートと共に円筒状のカバーを前記インナチューブの内側に同心に形成し、前記ボートカバーの上端及び下端を溶接により前記インナチューブに固着したことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/22 511 G , H01L 21/205

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