特許
J-GLOBAL ID：200903076366186931

薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
国井 正文

国井 正文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148408
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307118
出願日： 1996年05月17日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 半導体薄膜に対する不純物イオンの注入処理を高精度化及び効率化する。【解決手段】 質量分離器及び磁場偏向器を備えたイオンインプランテーション装置を用いて第1のイオンビームを走査しながら1×1013/cm2 未満のドーズ量で半導体薄膜2に注入し、チャネル領域Chの不純物濃度を調整してTFTのVthを予め制御する。同じくイオンインプランテーション装置を用いて第2のイオンビームを走査しながら1×1014/cm2 未満のドーズ量で半導体薄膜2に注入し、TFTのLDD領域を形成する。さらに、質量分離器を備えないイオンドーピング装置を用いてイオンシャワーを走査する事なく1×1014/cm2以上のドーズ量で半導体薄膜2に注入し、TFTのソース領域Sドレイン領域Dを形成する。
請求項（抜粋）：
900cm2 以上の面積を有する絶縁基板に成膜された非単結晶性の半導体薄膜に対し不純物イオンを選択的に注入して低濃度不純物領域、高濃度不純物領域及びチャネル領域を備えた薄膜トランジスタを集積形成し、且つ600°C以下のプロセス温度で必要な熱処理を行なって薄膜半導体装置を製造する方法において、イオン源から生じた不純物イオンを質量分離にかけて目的のイオン種のみを取り出し且つビーム状に整形して得られた第1のイオンビームを走査しながら1×1013/cm2 未満のドーズ量で該半導体薄膜に注入し、チャネル領域の不純物濃度を調整して薄膜トランジスタの閾電圧を予め制御しておく第1注入工程と、イオン源から生じた不純物イオンを質量分離にかけて目的のイオン種のみを取り出し且つビーム状に整形して得られた第2のイオンビームを走査しながら1×1014/cm2 未満のドーズ量で該半導体薄膜に注入し、薄膜トランジスタの低濃度不純物領域を形成する第2注入工程とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265
FI (5件)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 K
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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