特許
J-GLOBAL ID：200903076379969390
磁気抵抗素子およびその製造方法並びに磁気ヘッドおよび磁気記録装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106899
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318515
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 従来より大きな磁気抵抗変化率が得られるようにする。【構成】 コバルト等の強磁性層11と銅等の非強磁性層12とが交互に積層された多層構造の磁気抵抗効果膜1を備える。隣接する強磁性層11と非強磁性層12の界面は、磁気抵抗効果膜1の上下膜面に対して傾斜し、両膜面に露出している。電流は磁気抵抗効果膜1内を前記界面と交差して流れる。磁界は前記界面が前記膜面と交差して形成される直線に沿って印加される。【効果】 100エルステッド程度の磁界で従来より大きな磁気抵抗変化率が得られる。磁気記録装置の再生性能を格段に向上できる。
請求項（抜粋）：
強磁性層と非強磁性層とを交互に積層してなる磁気抵抗効果膜を備えた磁気抵抗素子において、隣接する前記強磁性層と前記非強磁性層の界面が前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して傾斜しており、且つ、電流が前記磁気抵抗効果膜内を前記界面と交差して流れることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (5件)：
H01F 10/12
, G01R 33/06
, G11B 5/39
, H01L 43/08
, H01L 43/12
