特許
J-GLOBAL ID：200903076380695776
半導体薄膜の製造装置および半導体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020225
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213651
出願日： 1996年02月06日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 基板全面に渡って、均一で良質な結晶性半導体薄膜を形成する。【解決手段】 光源1からのレーザー光10をレーザー光11、12に分割し、一定の光路長差を与える。レーザー光11、12を合成して半導体薄膜13表面に照射する。各々のレーザー光11、12が時間的にずれて重ね合わせられるので、ビームのパルス幅を変化させることができ、また、アニール温度を変化させて予備加熱や徐冷を行うことができる。
請求項（抜粋）：
非晶質半導体薄膜表面にレーザー光を照射してアニールすることにより該非晶質半導体薄膜を多結晶化する半導体薄膜の製造装置において、該レーザー光を出射する光源と、該光源からのレーザー光を複数のレーザー光に分割する光分割手段と、分割された複数のレーザー光に、互いに一定の光路長差を与える光学手段と、互いに一定の光路長差を有する複数のレーザー光を合成して該非晶質半導体薄膜表面に照射する光合成手段とを有する半導体薄膜の製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/268 B
, H01L 21/20
