特許

J-GLOBAL ID：200903076383905674

半導体ウエーハの端面研摩方法及び装置

発明者： 尾崎 治雄
出願人/特許権者： エムテツク株式会社
代理人 (1件)： 内田 和男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280663
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090234
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハの端面を液状の研摩剤を供給しながら円形研摩板に接触させて表面粗さを均一に鏡面研摩して該半導体ウェーハの端面への塵埃の付着を防止し、半導体素子の製作時における塵埃の影響を低下させて半導体チップの歩留りを向上させる。【構成】 コンピュータにより回転サーボ機構と直進サーボ機構とを2軸制御して液状の研摩剤を滴下しながら半導体ウェーハの端面を回転する円形研摩板の外周部に形成された略V字型の溝部と常に所定の一定圧力で、かつ接触時間を一定に制御して接触させて研摩する構成を特徴とする。

請求項（抜粋）：

駆動装置により回転駆動される円形研摩板の外周部に形成された略V字型の溝部に半導体ウェーハの端面を回転させながら所定の圧力で接触させると共に前記円形研摩板と前記半導体ウェーハとの接触部に液状の研摩剤を滴下して前記半導体ウェーハの前記端面を鏡面研摩することを特徴とする半導体ウェーハの端面研摩方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 9/00 ,  H01L 21/304 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-000269
  
• 特開平3-026459
  
• 特開昭57-183634