特許

J-GLOBAL ID：200903076388781892

半導体ウェーハにおけるエロ-ジョンを低減させるためのケミカルメカニカルプラナリゼーション組成物

発明者： チェントン・リウ
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228853
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123577
出願日： 2004年08月05日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】半導体ウエハのケミカルメカニカルプラナリゼーションにおいて、絶縁層の上に形成したバリア層のエロージョンを低減することが可能な水性研磨組成物を提供する。【解決手段】水性のケミカルメカニカルプラナリゼーション組成物は、バリア除去を促進するための酸化剤、砥粒、金属配線の除去を低減するインヒビター、ならびに少なくとも2つのカルボン酸官能基を含むポリマーの繰り返し単位の少なくとも1つを有するカルボン酸ポリマーとを含み、4以下のpH、及び13.8kPaのパッド圧力で、銅除去速度の少なくとも80%の窒化タンタル除去速度を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

バリア除去を促進するための酸化剤と、 砥粒と、 配線金属の除去を低減するためのインヒビターと、 少なくとも2つのカルボン酸官能基を含むポリマーの繰り返し単位の少なくとも1つを有する、カルボン酸ポリマー とを含み、 4以下のpHを有し、かつ13.8kPaのパッド圧力で、銅除去速度の少なくとも80%の窒化タンタル除去速度を有する、 水性のケミカルメカニカルプラナリゼーション組成物。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (7件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 B ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058BA05 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 金属用研磨液及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-321721   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-004842   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド, フジミアメリカインコーポレーテッド
• 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119557   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-128919   出願人：花王株式会社
• 研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-122691   出願人：花王株式会社