特許
J-GLOBAL ID：200903076391683370
シリコンウェーハの酸素析出物密度の評価方法及びその評価方法に基づいて製造されたシリコンウェーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141006
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334886
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 RTA熱処理により導入された原子空孔濃度から、所定の熱処理前にこの熱処理にて生成される酸素析出物密度を精度良くかつ効率的に予測する。【解決手段】 先ずチョクラルスキー法により作製されたシリコンウェーハを窒素雰囲気下で昇温速度30〜70°C/秒で室温から1200〜1280°Cまで加熱して上記ウェーハをこの温度に0〜30秒間保持した後に、このウェーハを降温速度10〜100°C/秒で室温まで冷却するRTA熱処理を行う。次にこのRTA熱処理を行ったウェーハに白金を拡散しDLTS法にて白金濃度を測定することにより原子空孔濃度Vを求める。更に上記RTA熱処理を行ったウェーハに所定の熱処理を行って生成された酸素析出物密度DをD∝V3/2及びD∝V1/2という式から算出して評価する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により作製されたシリコンウェーハを窒素雰囲気又は窒素及びアルゴン混合雰囲気の窒化性雰囲気下で昇温速度30〜70°C/秒で室温から1200〜1280°Cまで加熱して前記シリコンウェーハをこの温度に0〜30秒間保持した後に前記シリコンウェーハを降温速度10〜100°C/秒で室温まで冷却するRTA熱処理を行い、前記RTA熱処理を行ったシリコンウェーハに白金を拡散しDLTS法にて白金濃度を測定することにより原子空孔濃度V個/cm3を求めるとともに、前記RTA熱処理を行ったシリコンウェーハに所定の熱処理を行って生成された酸素析出物密度D個/cm3を、前記原子空孔濃度Vが4.2×1012個/cm3以下のときに式(1)から算出して評価し、前記原子空孔濃度Vが4.2×1012個/cm3を越えるときに式(2)から算出して評価するシリコンウェーハの酸素析出物密度の評価方法。D∝V3/2 ......(1)D∝V1/2 ......(2)
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, H01L 21/66 L
4M106AA01
, 4M106CB03
, 4M106CB08
, 4M106DH17
, 4M106DJ20
, 4M106DJ40
