特許
J-GLOBAL ID：200903076401624599
超浅接合形成部において用いられるイリジウムを含む熱安定性の高いニッケルシリサイドおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127643
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367929
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 温度が800°C以上になってもシリサイド層の接合部の完全性および安定性を保持する。【解決手段】 シリコン基板上にイリジウム中間層と共に作製されたニッケルシリサイドを備えた集積回路デバイスおよびその製造方法。上記方法は、シリサイド化反応を行う前にNi層とSi層との間にイリジウム(Ir)界面層を堆積させる工程を含む。薄いイリジウム層を付加することにより、ニッケルシリサイドの熱安定性が顕著に向上する。アニーリング温度が850°Cであったとしても、シリサイドの低シート抵抗によって、超浅接合形成部の低接合リーク電流が実現される。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にニッケルシリサイドを作製する方法であって、シリコン基板を提供する工程と、該シリコン基板上にイリジウムを堆積させる工程と、該シリコン基板上にニッケルを堆積させる工程であって、該ニッケルは該イリジウムと接触する、工程と、該イリジウムおよび該ニッケルにアニーリングを行って、該シリコン基板上にニッケルシリサイドを形成する工程と、を包含する、方法。
Fターム (15件)：
4M104AA01
, 4M104BB21
, 4M104BB38
, 4M104BB39
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD40
, 4M104DD43
, 4M104DD80
, 4M104DD84
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
