特許

J-GLOBAL ID：200903076402441030

縮小投影露光方法および縮小投影露光装置

発明者： 柳下 祐一郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281714
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121291
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置製造等において用いられる、微細パターンを縮小投影露光する方法および装置に関し、高集積度、高解像度のパターン作成を容易とする縮小投影露光方法を提供することを目的とする。【構成】 マスクを透過した光を光学系により縮小投影して半導体ウエハもしくはレティクル上にパターン像を転写する縮小投影露光方法において、前記マスクが外部信号により光透過率を変化させ得る多数の可変透過率要素を含み、マスクおよび半導体ウエハもしくはレティクルを固定したまま、半導体ウエハもしくはレティクル上に複数回異なるパターン像を縮小投影することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

マスク(4)を透過した光を光学系(9)により縮小投影して半導体ウエハ(12)もしくはレティクル上にパターン像を転写する縮小投影露光方法において、前記マスク(4)が外部信号(20)により光透過率を変化させ得る多数の可変透過率要素(5)を含み、マスクおよび半導体ウエハもしくはレティクルを固定したまま、半導体ウエハもしくはレティクル上に複数回異なるパターン像を縮小投影することを特徴とする縮小投影露光方法。

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 301 G