特許

J-GLOBAL ID：200903076403178324

半導体装置

発明者： 本田 次郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224243
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058868
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 低濃度の第1導電形の半導体基板内に、高濃度の第2導電形ウエル領域と該ウエル領域の周囲に設けられた高濃度の環状第1導電形領域を含み、繰り返しのブレークダウンにも絶えうる安定した耐圧を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 高濃度の第2導電形ウエル領域と高濃度の第1導電形領域の間隔を、上記各領域の形状の曲率の大きい部分において、曲率の小さい部分より大きくする。

請求項（抜粋）：

低濃度の第1導電形の半導体基板内に、高濃度の第2導電形ウエル領域と該ウエル領域の周囲に設けられた高濃度の環状第1導電形領域とを有し、上記高濃度の第2導電形ウエル領域と上記高濃度の環状第1導電形領域との間に印加される逆バイアス電圧を、上記高濃度の第2導電形ウエル領域から伸びた空乏層を上記高濃度の環状第1導電形領域に接触させ、パンチスルーを起こさしめて低下させる半導体装置において、上記高濃度の第2導電形ウエル領域と上記高濃度の第1導電形領域の間隔を、上記各領域の形状の曲率の大きい部分において、曲率の小さい部分より大きくしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/44 E ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 652 P

Fターム (18件)：

4M104FF34 ,  4M104GG02 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F003AP01 ,  5F003BA93 ,  5F003BN08 ,  5F003BZ01 ,  5F005AC01 ,  5F005BA03 ,  5F005CA04 ,  5F040DA21 ,  5F040DA25 ,  5F040EA02 ,  5F040EM06