特許

J-GLOBAL ID：200903076404688784

絶縁膜形成方法

発明者： 安田 真 ,  福田 永
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160114
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板上に従来より膜質が優れ、かつ破壊耐性の高い絶縁膜を形成すること。【構成】 この発明によれば、(a)反応炉10内を窒素非含有の酸化性ガスの雰囲気とし、かつシリコンの下地を加熱処理しながら、前記下地に第1の絶縁膜を形成する工程と、(b)前記反応炉内を窒素含有の酸化性ガスの雰囲気とし、かつ前記下地を熱処理しながら、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、(c)前記反応炉内を窒素非含有の酸化性ガスの雰囲気とし、かつ前記下地を加熱処理しながら、前記第2絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法が提供される。

請求項（抜粋）：

反応炉内で、シリコンの下地上に絶縁膜を形成する方法において、(a)反応炉内を窒素を含まない酸化性ガスの雰囲気とし、かつ下地を加熱処理しながら、前記下地に第1の絶縁膜を形成する工程と、(b)前記反応炉内を窒素を含む酸化性ガスの雰囲気とし、かつ前記下地を加熱処理しながら、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、(c)前記反応炉内を窒素を含まない酸化性ガスの雰囲気とし、かつ前記下地を加熱処理しながら、前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-316465
  
• 特開昭63-280426
  
• 特開昭61-128535