半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：熊谷雄太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244559
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096589
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】集積回路、特にRAMCELLの書き込み時における消費電力の低下を目的とする。【構成】ワードラインWO、Yセレクタによって選ばれる同アドレスのRAMCELL1Aを、1つのグループとしてまとめ、トランジスタ1Pa、1Naを介して電源VDD、GNDを供給し、前記トランジスタ1Pa、1Naに書き込みタイミングと同時に“OFF”し、少しのディレイ後に“ON”させるような回路(制御回路2A、書き込み開始検出回路2B)を設け、書き込み時に実行することで消費電力の低下を実現することができる。

請求項（抜粋）：

トランジスタを介してRAMCELLに電源、GNDを供給し、前記RAMCELLのデータの書き換え時に書き込み動作の開始を検出する書き込み開始検出回路を有し、該書き込み開始検出回路の出力により前記トランジスタのスイッチング制御をする制御回路を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

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