特許

J-GLOBAL ID：200903076411016937

低電圧CMOSSRAM

発明者： ツィウ. シー. チャン ,  ハーマン マ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-352750
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208481
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 約1V以下で信頼性のある動作を可能とするCMOSメモリセルを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の相補的・金属・酸化物・半導体スタティックランダムアクセスメモリセルは、相補的対称プシュプル配列状態にある2対のNチャンネル及びPチャンネルトランジスタを有している。1対の相補的トランジスタはメモリセルの二進状態を格納し且つ他方の対の相補的トランジスタがメモリセルの二進状態の補元を格納する。該メモリセル内の相補的トランジスタの各相補的対における両方のトランジスタは、ほぼ等しい電流担持能力を有しており且つメモリセルを横断してのバイアス電圧の約2分の1に等しいメモリセルの状態変化に対する電圧トリップ点を提供している。

請求項（抜粋）：

相補的・金属・酸化物・半導体ランダムアクセスメモリにおいて、相補的対称配置で少なくとも2対のNチャンネル及びPチャンネルトランジスタを有するメモリセルが設けられており、各相補的対のNチャンネル、Pチャンネルトランジスタはドレイン同志が相互接続されており、各対のゲートはゲート同志が相互接続されており、1対の相互接続されているゲートは他方の対の相互接続されているドレインへ接続しており、各相補的対のトランジスタにおけるトランジスタは1に等しい電流担持能力の比を有していることを特徴とするランダムアクセスメモリ。