特許
J-GLOBAL ID：200903076413517216
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066830
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275796
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 高抵抗半導体層のみで電流をブロックすることにより素子の不均一、歩留まりの低下等を防ぎ、高効率、高速変調可能な半導体レーザを低価格で提供することを目的とする。【構成】 第1導電型の第1の半導体層と、該第1導電型の第1の半導体層表面上に形成された正孔と電子の結合により発光する発光領域と、該発光領域の両側に電子を捕獲する深い準位を有した高抵抗半導体層よりなる高抵抗半導体層と、前記発光領域上及び前記高抵抗半導体層上に形成された第2導電型のキャップ層とを少なくとも有し、該第2導電型のキャップ層と前記高抵抗半導体層との接触部でヘテロ接合を形成し、前記ヘテロ接合のバンド不連続が正孔に対して高いエネルギー障壁を成すことを特徴とする半導体レーザ装置。
請求項（抜粋）：
キャリアの再結合により発光する半導体の発光領域と、該発光領域の両側に形成された高抵抗半導体層と、前記発光領域及び前記高抵抗半導体層上に形成されたキャップ層とを有し、前記高抵抗半導体層は電子或いは正孔の一方のキャリアを捕獲する深い準位を有すると共に前記キャップ層との界面で他方のキャリアに対して高いエネルギーを障壁となるバンド不連続のヘテロ接合を成すことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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