特許

J-GLOBAL ID：200903076414767321

表面処理装置

発明者： 小野 哲郎 ,  横川 賢悦 ,  辻本 和典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232287
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082491
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は半導体試料のエッチングや成膜などを行う表面処理装置において、効率良くプラズマを発生でき、かつ大面積を均一に処理できる装置を提供することである。【構成】 真空容器中に、試料台と平行な上面電極を設け、試料台と上面電極の間にプラズマ発生用の高周波電流を流すアンテナを鋏む構造とした。さらにプラズマに磁場を印加して電子のサイクロトロン共鳴を生じさせてかつ、高周波の周波数を400から900MHzにする。【効果】 高周波の周波数を400から900MHzにすると電磁波の波長と真空容器の大きさが同程度になるので高次の定在波発生によるプラズマの不均一を解消できる。さらに電子のサイクロトロン共鳴に必要な磁場強度が小さくなるので磁石の小型化ができる。

請求項（抜粋）：

内部を真空に排気できる容器と容器内の試料台と容器内に磁場を形成する磁石とからなる装置において、試料台と対向し平行電極を配し、かつ試料台と平行電極面の間にアンテナを設け、アンテナに高周波電流を流し、容器内にプラズマを発生させることを特徴とする表面処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C