特許

J-GLOBAL ID：200903076414839411

レーザ光による回路パターンの形成方法及びスルーホール内の導体形成方法

発明者： 緒方 浩二郎 ,  三柳 直毅 ,  多田 信彦 ,  鈴木 賢一 ,  下村 義昭
出願人/特許権者： 日立建機株式会社
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215455
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075253
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 レーザ光を利用した回路パターンの形成方法において、導体パターンの形成、スルーホールの形成、スルーホール内の導体形成の各工程を連続的に行うことにより、セラミック基板上の微細な回路パターン形成を、短時間で、容易にかつ確実に行なえるようにする。【構成】導体箔2a,2bを積層したセラミック基板1の表面にレーザ光Aを照射することによって導体箔2a,2bの不要部分3a,3bを除去してセラミック基板1上に所望の導体パターン4a,4bを形成し、またレーザ光Aの照射によって導体パターン4a,4bの両面の電気的接合が必要な箇所にスルーホール5を形成し、さらにスルーホール5の開口端に半田球6を乗せた後、レーザ光Aを照射して導体7を形成する。

請求項（抜粋）：

導体箔を積層したセラミック基板の表裏両面にレーザ光を照射することによって前記導体箔の不要部分を除去して所望の導体パターンを形成する第1のステップと、前記導体パターンの表裏両面の電気的接合が必要な箇所にレーザ光を照射することによってスルーホールを形成する第2のステップと、前記スルーホールに導体材料を配置し、この導体材料にレーザ光を照射することによってスルーホール内に導体を形成する第3のステップとを有することを特徴とするレーザ光による回路パターンの形成方法。

IPC (6件)：

H05K 3/40 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/08 ,  B23K101:36