特許
J-GLOBAL ID：200903076419325734
伝送線路変換部並びにこれを有する高周波回路及び高周波モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-054171
公開番号（公開出願番号）：特開2008-219476
出願日： 2007年03月05日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】 同軸線路と多層誘電体基板に形成されたマイクロストリップ線路を、仲介用基板などの追加部品を用いることなく変換接続でき、インピーダンス変化が低減された同軸線路とマイクロストリップ線路の伝送線路変換部を提供すること。【解決手段】 マイクロストリップ線路のグラウンド電流の流れが、多層誘電体基板の裏面の導体パターンから複数の内層に形成したそれぞれの導体パターンへ、順にスルーホールを介して切り替わる構成としており、導体パターン8eに流れたグラウンド電流は、地導体パターン8eからスルーホール9dを介して地導体パターン8dを流れ、さらにそれぞれスルーホールを介して順にグラウンド電流が流れていく。このように、1層ずつ順次グラウンドの切り替えを行ってグラウンド電流を流すように構成し、スルーホール1ヶ所あたりの寄生リアクタンスを小さくした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
同軸線路とマイクロストリップ線路の伝送線路変換部であって、多層誘電体基板の表面に形成され、少なくとも同軸線路の内導体との導通接続に供する接続用部位を有するマイクロストリップ線路のストリップ導体と、前記多層誘電体基板の裏面および少なくとも複数の内層のそれぞれに、前記ストリップ導体の接続用部位から導体形成端までの間隔が前記多層誘電体基板の裏面から表面へ向かって順次広げて形成され、少なくとも前記同軸線路の外導体との導通接続に供する地導体として前記多層誘電体基板の裏面に形成される導体パターンを含む導体パターンと、前記ストリップ導体の両側位置に対を成して設けられ、その一対以上は使用周波数での1/2波長未満の間隔とされ、前記導体パターンそれぞれの少なくとも隣接する導体パターン同士を導通接続する接続手段と、を備えたことを特徴とする伝送線路変換部。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01P5/08 B
, H01P5/02 603C
