特許

J-GLOBAL ID：200903076420153491

半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール

発明者： 魚見 和久 ,  中原 宏治 ,  土屋 朋信
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-031685
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232666
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】n型にドープされた多重量子井戸活性層を有する埋込ヘテロ型半導体レーザにおいて、n型ドープ活性層特有である埋込層の電流阻止効果と共に変調ドープ効果を保ち、低しきい電流・短キャリア寿命時間動作を実現する。【解決手段】本発明での解決手段はn型にドーピングされた多重量子井戸型半導体レーザにおいてn型の不純物から発生した多数電子の拡散を抑制するp型の第1埋込層構造、p型の第1埋込層の不純物濃度が5×1017cm~3〜1.5×1018cm~3の埋込構造である。【効果】変調ドープ効果を保ちながら、多数電子がBH構造の電流阻止効果を低減しない構造を提供できるので、n型ドープ多重量子井戸型BH構造半導体レーザ及びレーザアレイの低しきい値化、短キャリア寿命動作に対して効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも第1のクラッド層、量子井戸層と該量子井戸層よりも禁制帯幅の大きい障壁層を交互に重ね合わせた多重量子井戸活性層、及び第2のクラッド層が順次積層されたメサストライプ構造を有し、該メサストライプ構造の両側面に接して積層された第1導電型の第1埋込層と、上記メサストライプ構造の両側面に接しないで形成された第2導電型の第2埋込層、及びレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、大きな密度の多数電子を発生させるn型の不純物を上記多重量子井戸活性層の一部あるいは全てに導入し、かつ上記第1導電型の第1埋込層が上記多数電子の拡散を抑制することを特徴とする半導体レーザ。