特許

J-GLOBAL ID：200903076422366824

磁電変換素子

発明者： 重田 淳二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129944
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】特に高い感度を有する磁電変換素子の構造とそれを実現する方法を提供する。【解決手段】基板1の表面に磁束感知素子2を形成後、基板1および表面保護膜3に孔をあけて、高透磁率材を埋め込み、高透磁率材間の間隙を極めて狭くするとともに高透磁率材の形状を錐形にする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された導電層および表面保護膜よりなるホール素子,磁気抵抗素子の磁束感知素子と、前記基板あるいは前記表面保護膜の少なくとも一方に埋め込まれ、前記磁束感知素子に位置合わせされた高透磁率材よりなることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 43/02 ,  G01R 33/07 ,  G01R 33/09

FI (3件)：

H01L 43/02 Z ,  G01R 33/06 H ,  G01R 33/06 R