特許

J-GLOBAL ID：200903076424098576

半導体基板の製造方法および装置

発明者： 神力 博 ,  貝塚 健志
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-172776
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029827
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の製造方法および装置を提供する。【構成】 減圧CVD法を用いて加熱チャンバ1内で半導体基板Wの成膜・表面処理を行う際に、活性化室16で予め活性化された励起ガスを反応ガスとともに加熱チャンバ1に導入することにより、半導体基板の薄膜・表面処理を良好に実現することを可能とする。

請求項（抜粋）：

減圧CVD法を用いて反応室内で半導体基板の成膜・表面処理を行うに際し、予め活性化された励起ガスと反応ガスとを別々の経路から導入し、前記反応室内において均一に混合することを特徴とする半導体基板の製造方法。