ヘテロ構造ウエハの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175143
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020953
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】ヘテロ構造ウエハの製造方法に関し、例えばGaAs/Siのようなヘテロ構造ウエハを平坦に且つ容易に作成できるようにする。【構成】格子定数を異にする第一の結晶である例えばSi半導体基板及び第二の結晶である例えばGaAs層を積層してヘテロ構造を作成し、ヘテロ界面を挟むSi半導体基板とGaAs層との格子定数及び熱膨張係数の差を解消するのに必要な転位密度並びにSi半導体基板とGaAs層の弾性定数の相違に依って生ずる歪みを解消するのに必要な転位密度を加えた全転位密度、即ち、1×106/cm±0.2×106 /cm、が前記Si半導体基板並びに前記GaAs層からなるヘテロ界面に導入されるよう熱処理を加える。

請求項（抜粋）：

格子定数を異にする第一の結晶と第二の結晶とを積層してヘテロ構造を作成する工程と、次いで、ヘテロ界面を挟む二つの異なった結晶の格子定数及び熱膨張係数の差を解消するのに必要な転位密度及びそれら結晶の弾性定数の相違に依って生ずる歪みを解消するのに必要な転位密度を加えた全転位密度が前記ヘテロ界面に導入されるよう熱処理を加える工程とが含まれてなることを特徴とするヘテロ構造ウエハの製造方法。

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