特許
J-GLOBAL ID：200903076425595867
金属膜の選択形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056004
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267946
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 ヴィア孔に選択性よく金属膜を堆積することのできる金属膜形成方法を提供する。【構成】 ヴィア孔4aが形成された層間絶縁膜4の表面が純水によって洗浄され、洗浄後、乾燥される。その後、層間絶縁膜4はアルコール類有機溶剤によって表面処理される。例えば、エタノール(C2 H5 OH)溶液に基板が浸されることにより、層間絶縁膜4が表面処理される。引き続いて、DMAHを原料とするCVD法により、層間絶縁膜4の表面にAl元素を含むガスが流され、ヴィア孔4aにのみAl金属が選択的に堆積され、Al金属からなる埋込プラグ6が形成される。
請求項（抜粋）：
金属膜上の絶縁膜にヴィア孔を形成する工程と、前記絶縁膜表面を洗浄する工程と、前記絶縁膜表面を乾燥させる工程と、前記絶縁膜表面をアルコール類有機溶剤を用いて表面処理する工程と、前記ヴィア孔に選択的に金属膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする金属膜の選択形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
