特許
J-GLOBAL ID：200903076428841893
金属-絶縁膜-半導体センサによる流体の検出
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-534959
公開番号（公開出願番号）：特表2001-509879
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：
【要約】Pt/Ir合金電極を備える金属-絶縁膜-半導体ダイオードセンサはエチレンに対して敏感であり、且つ、エチレンを検出することができる。異なる応答反応を有する金属-絶縁膜-半導体ダイオードセンサは、少なくとも1つの主要故障ガスCO、H2、C2H2及びC2H4を検出することによって、電気的トランスの故障を表示することができる。
請求項（抜粋）：
流体中の成分を検出するための白金とイリジウムの合金から ほぼ成る電極 を備えたことを特徴とする金属-絶縁膜-半導体ダイオードセンサ。
引用特許：
引用文献：
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