特許

J-GLOBAL ID：200903076431966710

半導体研磨スラリー中の重金属イオンの定量分析方法

発明者： 深見 輝明
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097709
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260319
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 スラリー中の重金属イオンのうち、これを用いて半導体基板を研磨する場合に半導体基板の特性の劣化に対して影響を与える実質的な重金属イオンのみの濃度を定量的に分析する。【解決手段】 コロイダルシリカ粒子を含有する半導体研磨スラリーに、重金属イオンと錯体を形成する水溶性物質を添加して錯体水溶液を作製し、次に該錯体水溶液からコロイダルシリカを除去した後、コロイダルシリカが除去された該錯体水溶液中の重金属イオン濃度を定量分析する。

請求項（抜粋）：

コロイダルシリカ粒子を含有する半導体研磨スラリーに、重金属イオンと錯体を形成する水溶性物質を添加して、錯体水溶液を作製する工程と、該錯体水溶液からコロイダルシリカを除去する工程と、コロイダルシリカが除去された該錯体水溶液中の重金属イオン濃度を定量分析する工程とを有する、半導体研磨スラリー中の重金属イオンの定量分析方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  G01N 31/00 ,  G01N 33/40

FI (4件)：

H01L 21/304 321 Z ,  H01L 21/304 321 M ,  G01N 31/00 S ,  G01N 33/40