多結晶シリコンの研磨方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-136828
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334859
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】酸化シリコン膜用スラリを用いた化学機械研磨において、発生するエロージョンとディッシングを低減する。【解決手段】基板2上に絶縁膜(酸化シリコン膜)3を形成する工程と、該絶縁膜3にコンタクトホール4を形成する工程と、該コンタクトホール4を含む前記絶縁膜3上にシリコン膜(多結晶シリコン膜)5を形成する工程と、前記コンタクトホール4に埋め込まれた領域以外の前記絶縁膜3上のシリコン膜5を研磨する工程とを備え、絶縁膜用スラリを、該スラリと同じ溶媒で研磨粒子が0.5wt%になるように希釈して研磨を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホールを含む前記絶縁膜上にシリコン膜を形成する工程と、前記コンタクトホールに埋め込まれた領域以外の前記絶縁膜上のシリコン膜を研磨する工程とを備え、前記研磨工程において、あらかじめ砥粒含有率の定められた第一のスラリを、該スラリの溶媒で希釈した第二のスラリを用いた化学機械研磨(CMP)法を用いて前記シリコン膜を研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , H01L 21/306 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (8件)：

H01L 21/304 622 X , H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 C , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K , H01L 21/90 A , H01L 27/10 621 Z

Fターム (23件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 5F033JJ04 , 5F033KK08 , 5F033PP06 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033RR04 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F043AA10 , 5F043GG04 , 5F083AD21 , 5F083MA06 , 5F083PR40

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