特許
J-GLOBAL ID：200903076433935430
銅薄膜のプラズマエッチング法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111866
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307515
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】高温にて銅薄膜の異方性加工を良好に且つ確実に行うことができるプラズマエッチング法を提供する。【解決手段】基体上に形成された銅薄膜のプラズマエッチング法は、ハロゲン系ガスをエッチング用ガスとして用い、銅薄膜を230 ゚C乃至300 ゚Cに加熱した状態で、エッチング生成物である銅-ハロゲン化合物の銅薄膜表面からの脱離が銅-ハロゲン化合物の生成を上回るように、エッチング用ガス流量及び圧力、並びに電子密度を制御して、銅薄膜をプラズマエッチングする。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された銅薄膜のプラズマエッチング法であって、ハロゲン系ガスをエッチング用ガスとして用い、銅薄膜を230 ゚C乃至300 ゚Cに加熱した状態で、エッチング生成物である銅-ハロゲン化合物の銅薄膜表面からの脱離が銅-ハロゲン化合物の生成を上回るように、エッチング用ガス流量及び圧力、並びに電子密度を制御して、銅薄膜をプラズマエッチングすることを特徴とする銅薄膜のプラズマエッチング法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
