特許
J-GLOBAL ID：200903076434848786
半導体ウエハの処理装置およびその処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307916
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161674
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの処理液分解を抑え、処理の制御を容易にして、半導体ウエハ面の処理を精密にし、かつ、安全性を高めることを目的とする。【構成】 処理チャンバー内に設けられた保持手段に半導体ウエハを乗せ、処理チャンバーに設けられた加熱手段によって半導体ウエハを加熱した後に、半導体ウエハを回転させながら、貯蔵タンクから処理液を半導体ウエハ面に供給する。
請求項（抜粋）：
処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に設けられた半導体ウエハを保持する手段と、前記半導体ウエハ面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理チャンバーに前記半導体ウエハを加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする半導体ウエハの処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/10
