特許

J-GLOBAL ID：200903076435216562

シリコンウェハーのブレークパターン、シリコン基板、及び、ブレークパターンの作製方法

発明者： 鰐部 晃久 ,  岡沢 宣昭 ,  宮田 佳直 ,  新保 俊尚 ,  赤須 徹也 ,  赤地 尚
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 津久井 照保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116905
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313754
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェハーの破断の位置と形状の安定化を図り、割れカスを減少させる。【解決手段】 シリコンウェハー10の切断予定線L1を中心線として、貫通孔14を所定の間隔を空けて千鳥状に配置する。この貫通孔14を、(111)第一面12によって長辺が構成され、この(111)第一面12に交差すると共に(110)面に直交する(111)第二面13によって短辺が構成される細長い平行四辺形の孔によって構成し、当該貫通孔における一方の(111)第一面12を切断予定線L1上に配置した。

請求項（抜粋）：

表面が(110)面であるシリコンウェハーの切断予定線上に、エッチングにより貫通孔を開設して脆弱部を形成するシリコンウェハーのブレークパターンにおいて、前記切断予定線を、前記(110)面上であって、該(110)面に直交する(111)第一面の面方向に設定し、前記貫通孔を、(111)第一面によって長辺が構成され、この(111)第一面に交差すると共に(110)面に直交する(111)第二面によって短辺が構成される細長い平行四辺形の孔とし、当該貫通孔を、前記切断予定線を中心にして千鳥状に配置したことを特徴とするシリコンウェハーのブレークパターン。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/306 C ,  H01L 21/78 S

Fターム (3件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043GG01