特許

J-GLOBAL ID：200903076435935038

太陽電池およびその製造方法

発明者： 福島 隆史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-053393
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266023
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】簡便な工程で太陽電池の受光面側の集電電極と高濃度n型層の接触抵抗を低くして高効率の太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】太陽電池の受光面側電極において基板表面に金属シリサイド層を有し、その上にめっき層を被覆して電極を形成したことを特徴とする太陽電池。さらに、受光面側電極下部のn型不純物濃度が受光面側電極以外の受光面下部のn型不純物濃度より高い高濃度n型層を有する太陽電池。ここで、金属シリサイド層に含まれる金属がチタン、ニッケル、コバルトまたは白金とすることができる。また、金属シリサイド層上に形成されためっき層に、少なくとも金属としてスズ、亜鉛、銀、銅またはニッケルのいずれかを含有することができる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板表面に金属シリサイド層を形成し、その上にめっき層を被覆して電極を形成した受光面側電極を備えたことを特徴とする太陽電池。

IPC (3件)：

H01L31/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/40

Fターム (34件)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD52 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA09 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051FA19 ,  5F051FA22 ,  5F051FA24 ,  5F051FA25 ,  5F051GA04 ,  5F051HA07