特許
J-GLOBAL ID：200903076437162516
合成樹脂薄膜のパターン作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210671
公開番号（公開出願番号）：特開平5-051729
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の絶縁膜、パッシベーション膜、プラスチックコンデンサの誘電体などに用いられる、基体表面に異物が残らず、パターン形成工程が簡単で多層膜の形成が容易であり、基体表面の全面にわたってパターンの鮮明度が良好な合成樹脂薄膜のパターンを形成する。【構成】 真空中で、基体3上に合成樹脂薄膜を形成するのに、強磁性を有する可撓性フィルムまたは金属薄板からなるマスク10を、基体3の背後に設けた電磁石11の磁力により吸引し、基体3の表面全面にわたってマスクを密着させることによりパターンを形成する。この構成により、基体表面の全面にわたって鮮明なパターンの合成樹脂薄膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
真空中で基体上に合成樹脂薄膜を作成する方法において、強磁性を有する可撓性フィルムまたは強磁性金属薄板で作成したマスクを、前記基体の背後に設けた電磁石により、前記基体面に密着させながら蒸発源吹き出し口より合成樹脂モノマーを蒸発させ、前記基体表面で前記モノマーを重合させ、合成樹脂パターンを形成する合成樹脂薄膜のパターン作成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/12
, C08G 18/08 NDK
, C08G 71/02 NTA
, C23C 14/04
