真空処理装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225158
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069514
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】電極板の腐食を抑えて発塵を低減する。【解決手段】真空処理装置の電極本体に接続される電極板10の中央部には、エッチングガスが通過する複数のガス通過孔14が設けられている。電極板10の母材15はアルミニウムで構成されており、ガス通過孔14の内壁はセラミックの筒状体17で形成されている。また、電極本体との電気的接続部である環状の導電面19とガス通過孔14の内壁とを残して、電極板10の表面は溶射された耐食性の保護膜16で覆われている。そして、保護膜16で覆われない導電面19へのエッチングガスの侵入は、二つのOリングシール11によって阻止されている。電極板10の表面の中で、耐食性の材料で覆われない部分はエッチングガスから遮蔽され、エッチングガスに曝される部分は耐食性の材料で覆われているので、電極板の腐食とそれにともなう発塵が抑えられる。

請求項（抜粋）：

真空室を内部に形成する容器の一部をなす電極本体の内側壁面に、ガス導入口が開口する窪み部とその周縁に沿った台座部とが設けられており、前記窪み部を覆うとともに前記台座部と電気的に接続されるように当該台座部に電極板が固定され、当該電極板には前記窪み部に一端が開口するガス通過孔が設けられており、前記ガス通過孔の他端に対向する前記真空室内の位置に、処理対象物を設置する電極ステージがさらに設けられており、前記電極本体と前記電極ステージとの間に高周波を印加しつつ前記ガス導入口から処理ガスを前記真空室へ導入することによって、前記処理対象物に処理を施す真空処理装置において、相互に当接して電気的に接続される環状の導電面を除いて、前記電極本体の内側壁面と前記電極板の表面とが、耐食性材料から成っており、前記環状の導電面の内側と外側とに隣接して当該導電面を前記真空室から遮蔽するリングシールが配設されていることを特徴とする真空処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

ドライエッチング装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-185386 出願人：国際電気株式会社
特開平3-120381
特開平2-061078

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