プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西川惠清 , 森厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-058185
公開番号（公開出願番号）：特開2006-244835
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】被処理物に静電気が帯電するのを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】電極1の少なくとも一面を誘電体カバー2で被覆する。誘電体カバー2で被覆された面を対向させて複数の電極1、1を対向配置することにより、対向する電極1、1間を放電空間3として形成する。放電空間3内にガスGを導入すると共に対向する電極1、1間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間1、1内にプラズマPを生成する。このプラズマPを放電空間3の下側開口から吹き出して被処理物Sに供給することにより被処理物Sにプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置に関する。電極1の下側に誘電体で被覆された導電体4を設けると共に導電体4を接地する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電極の少なくとも一面を誘電体カバーで被覆し、誘電体カバーで被覆された面を対向させて複数の電極を対向配置することにより、対向する電極間を放電空間として形成し、放電空間内にガスを導入すると共に対向する電極間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間内にプラズマを生成し、このプラズマを放電空間の下側開口から吹き出して被処理物に供給することにより被処理物にプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、電極の下側に誘電体で被覆された導電体を設けると共に導電体を接地して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/24 , B08B 7/00 , H01L 21/306

FI (3件)：

H05H1/24 , B08B7/00 , H01L21/302 101E

Fターム (17件)：

3B116AA01 , 3B116AA46 , 3B116AA48 , 3B116AB02 , 3B116BC01 , 4K030FA03 , 4K030KA15 , 4K030KA47 , 5F004BA07 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB24 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004DB01 , 5F004DB26

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-358076号公報

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