特許

J-GLOBAL ID：200903076441409763

半導体レーザ

発明者： 西村 隆司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187284
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051250
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 再結晶成長界面におけるレーザ劣化を抑制し、高信頼性の半導体レーザを提供する。【構成】 半導体基板上1にp型のクラッド層3と、n型のクラッド層5と、これらの間に挟まれたレーザ発振用の活性層4と、この活性層4の両側に設けられた電流ブロック層6と、この電流ブロック層6の上面に接する上クラッド層8とが設けられ、上記p型のクラッド層3およびn型のクラッド層5と上記電流ブロック層6との界面13、14並びに上記上クラッド層8と上記電流ブロック層6との界面11、12が再結晶成長界面で接合され、上記再結晶成長界面のp-n接合面にFe,CrまたはCoがドープされたドープ層を有する構成である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にn型のクラッド層と、p型のクラッド層と、これらのn型のクラッド層とp型のクラッド層との間に挟まれたレーザ発振用の活性層と、この活性層の中央部に電流を集束するために上記活性層の両側に設けられた電流ブロック層と、この電流ブロック層の上面に接する上クラッド層とが設けられ、上記n型のクラッド層およびp型のクラッド層と上記電流ブロック層との界面並びに上記上クラッド層と上記電流ブロック層との界面が再結晶成長界面で接合され、上記再結晶成長界面のp-n接合界面にFe,CrまたはCoの少なくとも一種類がドープされたドープ層を有することを特徴とする半導体レーザ。